Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Транзисторы, транзисторные сборки и модули » IGBT транзисторы
Найдено: 3,241   Вывод: 1 - 20 (273 предложений)
NНаименованиеЦена, руб.Поставщик
1.STMicroelectronics STGF10NB60SDSTGF10NB60SD
IGBT транзистор - Примечание: IGBT, TO-220FP; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Voltage Vces:1.8V; Power Dissipation Pd:25W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transis
  
 STGF10NB60SD
STMicroelectronics
63.04Элрус
 STGF10NB60SD
STMicroelectronics
64.50Элитан
 STGF10NB60SD
STMicroelectronics
75.73
78.71
ICdarom
 STGF10NB60SD
STMicroelectronics
78.71Элрус
 STGF10NB60SD
STMicroelectronics
79.00
86.50
101.00
Терраэлектроника
 STGF10NB60SD
ST-MICROELECTRONICS -
79.69Интерия
 STGF10NB60SD
STMicroelectronics
91.87Контест
 STGF10NB60SD
STMicroelectronics
91.87Контест
 STGF10NB60SD
STMicroelectronics
126.00Ким
 STGF10NB60SD
STMicroelectronics
запросLifeElectronics
 STGF10NB60SD
STMicroelectronics
запросЭФО
 STGF10NB60SD
STMicroelectronics
запросЭФО
 STGF10NB60SD
ST MICROELECTRONICS SEMI -
запросКонтест
 STGF10NB60SD
STMicroelectronics
запросКремний
 STGF10NB60SD
ST MICROELECTRONICS SEMI -
запросКонтест
 STGF10NB60SD
STMicroelectronics
запросКремний
2.STMicroelectronics STGP10NC60KDSTGP10NC60KD
IGBT транзистор - [TO-220-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 10 А; Uкэ.нас: 1.8 В; Диод tвосст: 35 нс; Диод Uпад: 2 В
  
 STGP10NC60KD
STMicroelectronics
40.80Элитан
 STGP10NC60KD
STMicroelectronics
45.59
47.46
ICdarom
 STGP10NC60KD
STMicroelectronics
47.32Элрус
 STGP10NC60KD
STMicroelectronics
47.70
52.00
60.50
Терраэлектроника
 STGP10NC60KD
ST-MICROELECTRONICS -
47.89Интерия
 STGP10NC60KD
STMicroelectronics
52.46Элрус
 STGP10NC60KD
STMicroelectronics
54.59Контест
 STGP10NC60KD
STMicroelectronics
54.59Контест
 STGP10NC60KD
STMicroelectronics
75.00Ким
 STGP10NC60KD
STMicroelectronics
запросТаймЧипс
 STGP10NC60KD
STMicroelectronics
запросЭФО
 STGP10NC60KD
STMicroelectronics
запросЭФО
 STGP10NC60KD
STMicroelectronics
запросКремний
 STGP10NC60KD
STMicroelectronics
запросКремний
 STGP10NC60KD
STMicroelectronics
запросКремний
3.SGL160N60UFDTU
IGBT, 600V, 80A; Transistor Type:Ultrafast; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:160A; Voltage, Vce Sat Max:2.6V; Power Dissipation:250W; Case Style:TO-264; Termination Type:Through Hole
  
 SGL160N60UFDTU
Fairchild
304.72
315.56
ICdarom
 SGL160N60UFDTU
Fairchild
315.86Элрус
 SGL160N60UFDTU
Fairchild
318.00
347.00
404.00
Терраэлектроника
 SGL160N60UFDTU
Fairchild
319.77Интерия
 SGL160N60UFDTU
Fairchild
364.45Контест
 SGL160N60UFDTU
Fairchild
364.45Контест
 SGL160N60UFDTU
Fairchild
457.00Ким
 SGL160N60UFDTU
Fairchild
801.17Кремний
 SGL160N60UFDTU
Fairchild
запросМосЧип
 SGL160N60UFDTU
Fairchild
запросКонтест
 SGL160N60UFDTU
Fairchild
запросКонтест
 SGL160N60UFDTU
Fairchild
запросКремний
 SGL160N60UFDTU
ON Semiconductor / Fairchild -
запросЭлрус
 SGL160N60UFDTU
Fairchild
запросКремний
4.STMicroelectronics STGW30NC60WDSTGW30NC60WD
IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 30 А; Uкэ.нас: 1.8 В; Диод tвосст: 80 нс; Диод Uпад: 1.6 В
  
 STGW30NC60WD
STMicroelectronics
103.00Элитан
 STGW30NC60WD
STMicroelectronics
120.28Элрус
 STGW30NC60WD
ST-MICROELECTRONICS -
121.78Интерия
 STGW30NC60WD
STMicroelectronics
122.00
132.00
154.00
Терраэлектроника
 STGW30NC60WD
STMicroelectronics
127.68
131.10
ICdarom
 STGW30NC60WD
STMicroelectronics
138.62Элрус
 STGW30NC60WD
STMicroelectronics
138.79Контест
 STGW30NC60WD
STMicroelectronics
138.79Контест
 STGW30NC60WD
STMicroelectronics
176.36Контест
 STGW30NC60WD
STMicroelectronics
176.36Контест
 STGW30NC60WD
STMicroelectronics
185.00Ким
 STGW30NC60WD
STMicroelectronics
запросЭФО
 STGW30NC60WD
STMicroelectronics
запросКремний
 STGW30NC60WD
STMicroelectronics
запросКремний
5.HGTG11N120CND
Тип корпуса: TO247 Производитель: Fairchild Semiconductor IGBT транзистор
  
 HGTG11N120CND
Fairchild
104.58
108.77
ICdarom
 HGTG11N120CND
Fairchild
111.50Элрус
 HGTG11N120CND
Fairchild
112.89Интерия
 HGTG11N120CND
Fairchild
113.00
123.00
143.00
Терраэлектроника
 HGTG11N120CND
Fairchild
128.66Контест
 HGTG11N120CND
Fairchild
128.66Контест
 HGTG11N120CND
ON Semiconductor
171.89Контест
 HGTG11N120CND
ON Semiconductor
171.89Контест
 HGTG11N120CND
Fairchild
178.00Ким
 HGTG11N120CND
Fairchild
199.23Контест
 HGTG11N120CND
Fairchild
199.23Контест
 HGTG11N120CND
Fairchild
запросОкеан Электроники
 HGTG11N120CND
Fairchild
запросКремний
 HGTG11N120CND
Fairchild
запросКремний
6.HGTG20N60A4D
Тип корпуса: TO-247 Производитель: Fairchild Semiconductor IGBT транзистор.
  
 HGTG20N60A4D
Fairchild
182.84Элрус
 HGTG20N60A4D
Fairchild
184.00
201.00
234.00
Терраэлектроника
 HGTG20N60A4D
Fairchild
185.10Интерия
 HGTG20N60A4D
Fairchild
187.17
194.34
ICdarom
 HGTG20N60A4D
Fairchild
210.97Контест
 HGTG20N60A4D
Fairchild
210.97Контест
 HGTG20N60A4D
Fairchild
214.00Ким
 HGTG20N60A4D
Fairchild
245.50Контест
 HGTG20N60A4D
Fairchild
245.50Контест
 HGTG20N60A4D
ON Semiconductor
288.10Контест
 HGTG20N60A4D
ON Semiconductor
288.10Контест
 HGTG20N60A4D
Fairchild
запросTradeElectronics
 HGTG20N60A4D
Fairchild
запросКремний
 HGTG20N60A4D
Fairchild
запросКремний
7.STMicroelectronics STGE200NB60SSTGE200NB60S
N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 150 а семейства powermeshTM
  
 STGE200NB60S
STMicroelectronics
1,250.00Элитан
 STGE200NB60S
STMicroelectronics
1,465.61Элрус
 STGE200NB60S
STMicroelectronics
1,480.00
1,610.00
1,880.00
Терраэлектроника
 STGE200NB60S
ST-MICROELECTRONICS -
1,483.79Интерия
 STGE200NB60S
STMicroelectronics
1,511.95Элрус
 STGE200NB60S
STMicroelectronics
1,553.87
1,611.54
ICdarom
 STGE200NB60S
STMicroelectronics
1,691.13Контест
 STGE200NB60S
STMicroelectronics
1,987.00Ким
 STGE200NB60S
STMicroelectronics
запросЭлектроПласт - Екатеринбург
 STGE200NB60S
STMicroelectronics
запросЭФО
 STGE200NB60S
STMicroelectronics
запросЭФО
 STGE200NB60S
STMicroelectronics
запросКремний
 STGE200NB60S
STMicroelectronics
запросКремний
 STGE200NB60S
STMicroelectronics
запросКремний
8.Fairchild HGTG30N60A4HGTG30N60A4
Тип корпуса: TO-247 Производитель: Fairchild Semiconductor IGBT транзистор.
  
 HGTG30N60A4
Fairchild
180.38
188.25
ICdarom
 HGTG30N60A4
Fairchild
199.79Элрус
 HGTG30N60A4
Fairchild
202.00
219.00
256.00
Терраэлектроника
 HGTG30N60A4
Fairchild
202.27Интерия
 HGTG30N60A4
Fairchild
230.54Контест
 HGTG30N60A4
Fairchild
230.54Контест
 HGTG30N60A4
ON Semiconductor
293.49Контест
 HGTG30N60A4
ON Semiconductor
293.49Контест
 HGTG30N60A4
Fairchild
295.46Контест
 HGTG30N60A4
Fairchild
295.46Контест
 HGTG30N60A4
Fairchild
303.00Ким
 HGTG30N60A4
Fairchild
запросМосЧип
 HGTG30N60A4
Fairchild
запросКремний
 HGTG30N60A4
Fairchild
запросКремний
9.STMicroelectronics STGW30NC120HDSTGW30NC120HD
IGBT транзистор - [TO-247-3]; Примечание: IGBT, N 1200V 30A TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Voltage Vces:2.75V; Power Dissipation Pd:220W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range
  
 STGW30NC120HD
STMicroelectronics
112.00Элитан
 STGW30NC120HD
STMicroelectronics
125.51Элрус
 STGW30NC120HD
STMicroelectronics
157.90
163.58
ICdarom
 STGW30NC120HD
STMicroelectronics
164.20Элрус
 STGW30NC120HD
STMicroelectronics
166.00
180.00
210.00
Терраэлектроника
 STGW30NC120HD
ST-MICROELECTRONICS -
166.23Интерия
 STGW30NC120HD
STMicroelectronics
182.91Контест
 STGW30NC120HD
STMicroelectronics
182.91Контест
 STGW30NC120HD
STMicroelectronics
253.00Ким
 STGW30NC120HD
STMicroelectronics
запросЭФО
 STGW30NC120HD
STMicroelectronics
запросЭлектроПласт
 STGW30NC120HD
STMicroelectronics
запросЭФО
 STGW30NC120HD
STMicroelectronics
запросКремний
 STGW30NC120HD
STMicroelectronics
запросКремний
10.STMicroelectronics STGP14NC60KDSTGP14NC60KD
IGBT транзистор - [TO-220-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 14 А; Uкэ.нас: 1.8 В; Диод tвосст: 61 нс; Диод Uпад: 1.8 В
  
 STGP14NC60KD
STMicroelectronics
44.60Элитан
 STGP14NC60KD
STMicroelectronics
51.78
53.63
ICdarom
 STGP14NC60KD
STMicroelectronics
53.20Элрус
 STGP14NC60KD
STMicroelectronics
53.55Элрус
 STGP14NC60KD
STMicroelectronics
54.00
58.50
68.50
Терраэлектроника
 STGP14NC60KD
ST-MICROELECTRONICS -
54.22Интерия
 STGP14NC60KD
STMicroelectronics
77.53Контест
 STGP14NC60KD
STMicroelectronics
77.53Контест
 STGP14NC60KD
STMicroelectronics
85.00Ким
 STGP14NC60KD
STMicroelectronics
запросЭлектроПласт
 STGP14NC60KD
STMicroelectronics
запросЭФО
 STGP14NC60KD
STMicroelectronics
запросКремний
 STGP14NC60KD
STMicroelectronics
запросКремний
 STGP14NC60KD
STMicroelectronics
запросКремний
11.STMicroelectronics STGP6NC60HDSTGP6NC60HD
IGBT транзистор - [TO-220-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 7 А; Uкэ.нас: 1.7 В; Диод tвосст: 34 нс; Диод Uпад: 1.3 В
  
 STGP6NC60HD
STMicroelectronics
34.30Элитан
 STGP6NC60HD
STMicroelectronics
38.77Элрус
 STGP6NC60HD
STMicroelectronics
41.36
42.76
ICdarom
 STGP6NC60HD
STMicroelectronics
44.26Элрус
 STGP6NC60HD
STMicroelectronics
44.60
48.60
56.50
Терраэлектроника
 STGP6NC60HD
ST-MICROELECTRONICS -
44.80Интерия
 STGP6NC60HD
STMicroelectronics
51.06Контест
 STGP6NC60HD
STMicroelectronics
51.06Контест
 STGP6NC60HD
STMicroelectronics
76.00Ким
 STGP6NC60HD
STMicroelectronics
запросЭФО
 STGP6NC60HD
STMicroelectronics
запросЭФО
 STGP6NC60HD
STMicroelectronics
запросКремний
 STGP6NC60HD
STMicroelectronics
запросКремний
 STGP6NC60HD
STMicroelectronics
запросКремний
12.STMicroelectronics STGW20NC60VDSTGW20NC60VD
IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 30 А; Uкэ.нас: 1.7 В; Диод tвосст: 88 нс; Диод Uпад: 1.6 В
  
 STGW20NC60VD
STMicroelectronics
69.90Элитан
 STGW20NC60VD
STMicroelectronics
79.04Элрус
 STGW20NC60VD
STMicroelectronics
83.67
87.88
ICdarom
 STGW20NC60VD
STMicroelectronics
89.61Элрус
 STGW20NC60VD
STMicroelectronics
90.00
98.00
115.00
Терраэлектроника
 STGW20NC60VD
ST-MICROELECTRONICS -
90.72Интерия
 STGW20NC60VD
STMicroelectronics
103.40Контест
 STGW20NC60VD
STMicroelectronics
103.40Контест
 STGW20NC60VD
STMicroelectronics
143.00Ким
 STGW20NC60VD
STMicroelectronics
запросЭФО
 STGW20NC60VD
STMicroelectronics
запросЭФО
 STGW20NC60VD
STMicroelectronics
запросКремний
 STGW20NC60VD
STMicroelectronics
запросКремний
13.Fairchild HGTG12N60A4DHGTG12N60A4D
Тип корпуса: TO-247 Производитель: Fairchild Semiconductor IGBT транзистор.
  
 HGTG12N60A4D
Fairchild
96.23
99.06
ICdarom
 HGTG12N60A4D
Fairchild
99.68Элрус
 HGTG12N60A4D
Fairchild
100.91Интерия
 HGTG12N60A4D
Fairchild
101.00
110.00
128.00
Терраэлектроника
 HGTG12N60A4D
Fairchild
115.00Контест
 HGTG12N60A4D
Fairchild
115.00Контест
 HGTG12N60A4D
Fairchild
134.59Контест
 HGTG12N60A4D
Fairchild
134.59Контест
 HGTG12N60A4D
Fairchild
159.00Ким
 HGTG12N60A4D
ON Semiconductor
160.76Контест
 HGTG12N60A4D
ON Semiconductor
160.76Контест
 HGTG12N60A4D
Fairchild
запросLifeElectronics
 HGTG12N60A4D
Fairchild
запросКремний
14.STMicroelectronics STGW39NC60VDSTGW39NC60VD
IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 40 А; Uкэ.нас: 1.7 В; Диод tвосст: 100 нс; Диод Uпад: 1.8 В
  
 STGW39NC60VD
STMicroelectronics
92.00Элитан
 STGW39NC60VD
STMicroelectronics
105.00Элрус
 STGW39NC60VD
STMicroelectronics
117.70
122.16
ICdarom
 STGW39NC60VD
STMicroelectronics
125.21Элрус
 STGW39NC60VD
STMicroelectronics
126.00
138.00
161.00
Терраэлектроника
 STGW39NC60VD
ST-MICROELECTRONICS -
126.77Интерия
 STGW39NC60VD
STMicroelectronics
153.01Контест
 STGW39NC60VD
STMicroelectronics
153.01Контест
 STGW39NC60VD
STMicroelectronics
193.00Ким
 STGW39NC60VD
STMicroelectronics
запросLifeElectronics
 STGW39NC60VD
STMicroelectronics
запросЭФО
 STGW39NC60VD
STMicroelectronics
запросКремний
 STGW39NC60VD
STMicroelectronics
запросКремний
15.STMicroelectronics STGP10NC60HDSTGP10NC60HD
Тип корпуса: TO-220 Производитель: ST Microelectronics IGBT транзистор
  
 STGP10NC60HD
STMicroelectronics
41.00Элитан
 STGP10NC60HD
STMicroelectronics
46.82Элрус
 STGP10NC60HD
STMicroelectronics
53.11
55.23
ICdarom
 STGP10NC60HD
STMicroelectronics
53.80Элрус
 STGP10NC60HD
STMicroelectronics
54.00
59.00
69.00
Терраэлектроника
 STGP10NC60HD
ST-MICROELECTRONICS -
54.47Интерия
 STGP10NC60HD
STMicroelectronics
68.23Контест
 STGP10NC60HD
STMicroelectronics
68.23Контест
 STGP10NC60HD
STMicroelectronics
86.00Ким
 STGP10NC60HD
STMicroelectronics
запросЭлектроПласт - Екатеринбург
 STGP10NC60HD
STMicroelectronics
запросЭФО
 STGP10NC60HD
STMicroelectronics
запросКремний
 STGP10NC60HD
STMicroelectronics
запросКремний
16.FGH60N60SMD
Тип корпуса: TO-247 Производитель: Fairchild Semiconductor MOSFET транзистор.
  
 FGH60N60SMD
Fairchild
183.41
188.84
ICdarom
 FGH60N60SMD
Fairchild
189.19Элрус
 FGH60N60SMD
Fairchild
191.00
208.00
242.00
Терраэлектроника
 FGH60N60SMD
Fairchild
191.53Интерия
 FGH60N60SMD
Fairchild
218.30Контест
 FGH60N60SMD
Fairchild
218.30Контест
 FGH60N60SMD
Fairchild
221.80Контест
 FGH60N60SMD
Fairchild
221.80Контест
 FGH60N60SMD
Fairchild
270.00Ким
 FGH60N60SMD
ON Semiconductor
277.58Контест
 FGH60N60SMD
ON Semiconductor
277.58Контест
 FGH60N60SMD
Fairchild
запросЭлектроПласт - Екатеринбург
 FGH60N60SMD
Fairchild
запросКремний
17.Fairchild HGTG30N60A4DHGTG30N60A4D
IGBT, TO-247, Transistor Type:IGBT, Transistor Polarity:N Channel, Voltage, Vces:600V, Current, Ic Continuous a Max:75A, Voltage, Vce Sat Max:2.6V, Power Dissipation:463W, Case Style:TO-247, Termination Type:Through Hole, Case Style, Alternate:SOT-249, ...
  
 HGTG30N60A4D
Fairchild
255.41
267.99
ICdarom
 HGTG30N60A4D
Fairchild
332.83Контест
 HGTG30N60A4D
Fairchild
332.83Контест
 HGTG30N60A4D
Fairchild
397.19Элрус
 HGTG30N60A4D
Fairchild
400.00
436.00
508.00
Терраэлектроника
 HGTG30N60A4D
Fairchild
402.11Интерия
 HGTG30N60A4D
Fairchild
458.30Контест
 HGTG30N60A4D
Fairchild
458.30Контест
 HGTG30N60A4D
Fairchild
709.96Кремний
 HGTG30N60A4D
Fairchild
запросКонтест
 HGTG30N60A4D
Fairchild
запросКонтест
 HGTG30N60A4D
Fairchild
запросКремний
 HGTG30N60A4D
Fairchild
запросКремний
18.Fairchild FGH40N60UFDTUFGH40N60UFDTU
Тип корпуса: TO-247 Производитель: Fairchild Semiconductor IGBT транзистор.
  
 FGH40N60UFDTU
Fairchild
136.60
142.16
ICdarom
 FGH40N60UFDTU
Fairchild
156.00
169.00
198.00
Терраэлектроника
 FGH40N60UFDTU
Fairchild
158.35Интерия
 FGH40N60UFDTU
Fairchild
187.00Ким
 FGH40N60UFDTU
ONSEMICONDUCTOR -
199.37Контест
 FGH40N60UFDTU
ONSEMICONDUCTOR -
199.37Контест
 FGH40N60UFDTU
ON Semiconductor
235.73Контест
 FGH40N60UFDTU
ON Semiconductor
235.73Контест
 FGH40N60UFDTU
Fairchild
269.17Контест
 FGH40N60UFDTU
Fairchild
269.17Контест
 FGH40N60UFDTU
Fairchild
запросLifeElectronics
 FGH40N60UFDTU
Fairchild
запросКремний
 FGH40N60UFDTU
Fairchild
запросЭлрус
19.STMicroelectronics STGP19NC60HDSTGP19NC60HD
Тип корпуса: TO-220 Производитель: ST Microelectronics IGBT транзистор.
  
 STGP19NC60HD
STMicroelectronics
74.20Элитан
 STGP19NC60HD
STMicroelectronics
82.63Элрус
 STGP19NC60HD
STMicroelectronics
92.99Элрус
 STGP19NC60HD
STMicroelectronics
93.50
102.00
119.00
Терраэлектроника
 STGP19NC60HD
ST-MICROELECTRONICS -
94.15Интерия
 STGP19NC60HD
STMicroelectronics
96.90
99.42
ICdarom
 STGP19NC60HD
STMicroelectronics
120.42Контест
 STGP19NC60HD
STMicroelectronics
120.42Контест
 STGP19NC60HD
STMicroelectronics
148.00Ким
 STGP19NC60HD
STMicroelectronics
запросLifeElectronics
 STGP19NC60HD
STMicroelectronics
запросЭФО
 STGP19NC60HD
STMicroelectronics
запросЭФО
 STGP19NC60HD
STMicroelectronics
запросКремний
20.Fairchild HGTG20N60A4HGTG20N60A4
Тип корпуса: TO-247 Производитель: Fairchild Semiconductor IGBT транзистор.
  
 HGTG20N60A4
Fairchild
147.57
154.23
ICdarom
 HGTG20N60A4
Fairchild
156.09Элрус
 HGTG20N60A4
Fairchild
158.00
172.00
200.00
Терраэлектроника
 HGTG20N60A4
Fairchild
158.02Интерия
 HGTG20N60A4
Fairchild
180.10Контест
 HGTG20N60A4
Fairchild
180.10Контест
 HGTG20N60A4
Fairchild
215.15Контест
 HGTG20N60A4
Fairchild
215.15Контест
 HGTG20N60A4
Fairchild
240.00Ким
 HGTG20N60A4
Fairchild
запросТаймЧипс
 HGTG20N60A4
Fairchild
запросКремний
 HGTG20N60A4
Fairchild
запросКремний
 Страницы:
← предыдущая   следующая →
Курсы валют ЦБ РФ на 24.11.2017:
USD58.4622
EUR69.1783
Срезы ↓
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Цена: от 3 168 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
DIY настольный 3D принтер
Цена: 163 $ (9500 руб.)
Промо-акция, последняя скидка
Очки с подсветкой и сменными окулярами
Цена: от 8 $ (477 руб.)
Бесплатная доставка: Весь мир
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс