Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Транзисторы, транзисторные сборки и модули » IGBT транзисторные сборки и модули
Найдено: 7,008   Вывод: 1 - 20 (178 предложений)
NНаименованиеЦена, руб.Поставщик
1. HGTG40N60A4HGTG40N60A4
Транзистор N канальный IGBT, 600В, 75А
  
 HGTG40N60A4238.00
251.00
264.40
276.90
291.00
PL-1
 HGTG40N60A4
Fairchild
567.00
618.00
720.00
ДКО Электронщик
 HGTG40N60A4
Fairchild
567.00
618.00
720.00
Терраэлектроника
 HGTG40N60A4
Fairchild
567.00
618.00
720.00
ДКО Электронщик
 HGTG40N60A4
Fairchild
643.63Контест
 HGTG40N60A4
Fairchild
643.63Контест
 HGTG40N60A4
Fairchild
849.05Кремний
 HGTG40N60A4
ONSEMICONDUCTOR -
1,064.93Контест
 HGTG40N60A4
ONSEMICONDUCTOR -
1,064.93Контест
 HGTG40N60A4
Fairchild
запросМосЧип
2.BSM50GB120DLC
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A DUAL
  
 BSM50GB120DLC
Infineon
1,756.87Элрус
 BSM50GB120DLC
Infineon
2,430.00Терраэлектроника
 BSM50GB120DLC
Infineon
2,525.16Интерия
 BSM50GB120DLC
Infineon
2,541.00Элитан
 BSM50GB120DLC
Infineon
3,150.92
3,276.98
ICdarom
 BSM50GB120DLC
Infineon
3,596.00Ким
 BSM50GB120DLC
Infineon
3,702.82Контест
 BSM50GB120DLC
Infineon
запросЭФО
 BSM50GB120DLC
Infineon
запросЭлрус
 BSM50GB120DLC
Infineon
запросОкеан Электроники
3.Infineon IRGP20B120UD-EPIRGP20B120UD-EP
IGBT, Transistor Type:IGBT, Transistor Polarity:N Channel, Voltage, Vces:1200V, Current, Ic Continuous a Max:40A, Power Dissipation:300W, Case Style:TO-247AD, Termination Type:Through Hole
  
 IRGP20B120UD-EP
Infineon
207.47Элрус
 IRGP20B120UD-EP
International Rectifier
224.99Элрус
 IRGP20B120UD-EP
Infineon
347.00
378.00
441.00
ДКО Электронщик
 IRGP20B120UD-EP
Infineon
347.00
378.00
441.00
ДКО Электронщик
 IRGP20B120UD-EP
Infineon
347.00
378.00
441.00
Терраэлектроника
 IRGP20B120UD-EP
Infineon
393.64Контест
 IRGP20B120UD-EP
Infineon
393.64Контест
 IRGP20B120UD-EP
International Rectifier
409.87Контест
 IRGP20B120UD-EP
International Rectifier
409.87Контест
 IRGP20B120UD-EP
Infineon
710.19Кремний
4.BSM50GD120DN2
Тип корпуса: ECONO2PIM Производитель: Infineon Technologies AG IGBT силовой модуль
  
 BSM50GD120DN2
Infineon
6,318.04Элрус
 BSM50GD120DN2
Infineon
8,557.00Элитан
 BSM50GD120DN2
Infineon
8,849.91Интерия
 BSM50GD120DN2
Infineon
9,330.00Терраэлектроника
 BSM50GD120DN2
Infineon
9,956.83
9,956.83
ICdarom
 BSM50GD120DN2
Infineon
10,874.99Контест
 BSM50GD120DN2
Infineon
11,974.00Ким
 BSM50GD120DN2
Infineon
запросЭФО
 BSM50GD120DN2
Infineon
запросTradeElectronics
 BSM50GD120DN2
Infineon
запросЭлрус
5.Semikron SKM50GB12T4SKM50GB12T4
IGBT силовой модуль [SEMITRANS 2 Схема GB Напряжение 1.2 к Ток 50 Технология IGBT 4 Fast (Trench Ключей 2
  
 SKM50GB12T4
Semikron
1,850.89Элрус
 SKM50GB12T4
Semikron
2,039.98Элрус
 SKM50GB12T4
Semikron
2,231.00Элитан
 SKM50GB12T4
Semikron
2,647.25Интерия
 SKM50GB12T4
Semikron
2,800.00
3,040.00
ДКО Электронщик
 SKM50GB12T4
Semikron
2,800.00
3,040.00
ДКО Электронщик
 SKM50GB12T4
Semikron
2,800.00
3,040.00
Терраэлектроника
 SKM50GB12T4
Semikron
3,012.03Контест
 SKM50GB12T4
Semikron
3,663.00Ким
 SKM50GB12T4
Semikron
запросТаймЧипс
6.Semikron SKM75GB12T4SKM75GB12T4
IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 115A
  
 SKM75GB12T4
Semikron
2,297.05Элрус
 SKM75GB12T4
Semikron
2,460.58Элрус
 SKM75GB12T4
Semikron
2,757.00Элитан
 SKM75GB12T4
Semikron
3,127.47Интерия
 SKM75GB12T4
Semikron
3,300.00
3,600.00
ДКО Электронщик
 SKM75GB12T4
Semikron
3,300.00
3,600.00
ДКО Электронщик
 SKM75GB12T4
Semikron
3,300.00
3,600.00
Терраэлектроника
 SKM75GB12T4
Semikron
4,124.00Ким
 SKM75GB12T4
Semikron
запросЭФО
 SKM75GB12T4
Semikron
запросЭлектроПласт
7.FP40R12KE3
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A PIM
  
 FP40R12KE3
Infineon
3,888.93Элрус
 FP40R12KE3
Infineon
3,970.96Элрус
 FP40R12KE3
Infineon
4,575.00Элитан
 FP40R12KE3
Infineon
5,661.44Интерия
 FP40R12KE3
Infineon
6,264.88
6,437.45
ICdarom
 FP40R12KE3
Infineon
6,340.00Терраэлектроника
 FP40R12KE3
Infineon
7,084.66Контест
 FP40R12KE3
Infineon
7,526.00Ким
 FP40R12KE3
Infineon
запросЭФО
 FP40R12KE3
Infineon
запросМосЧип
8.Fujitsu-Siemens FGA25N120ANTDTUFGA25N120ANTDTU
IGBT NPT TO-3PN Transistor Type:IGBT Transistor Polarity:N Channel Voltage Vces:1200V Current Ic Continuous a Max:50A Voltage Vce Sat Max:2.5V Power Dissipation:312mW Case Style:TO-3PN Termination Type:Through Hole Current Ic
  
 FGA25N120ANTDTU
Fujitsu-Siemens
109.12Элрус
 FGA25N120ANTDTU
Fairchild
159.51Контест
 FGA25N120ANTDTU
Fairchild
159.51Контест
 FGA25N120ANTDTU
Fairchild
161.00
175.00
204.00
Терраэлектроника
 FGA25N120ANTDTU
Fujitsu-Siemens
198.77Контест
 FGA25N120ANTDTU
Fujitsu-Siemens
198.77Контест
 FGA25N120ANTDTU
Fairchild
запросДКО Электронщик
 FGA25N120ANTDTU
Fairchild
запросДКО Электронщик
 FGA25N120ANTDTU
Fairchild
запросLifeElectronics
9.International Rectifier IRG4PF50WIRG4PF50W
IGBT TO-247 Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Current Ic Continuous a Max 51A Voltage Vce Sat Max 2.7V Power Dissipation 200W Case Style TO-247 Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 900V Current Icm Pulsed 204A No of Pins 3 Po
  
 IRG4PF50W
International Rectifier
212.40Контест
 IRG4PF50W
International Rectifier
212.40Контест
 IRG4PF50W
Infineon
213.00
232.00
271.00
Терраэлектроника
 IRG4PF50W
Infineon
279.90Контест
 IRG4PF50W
Infineon
279.90Контест
 IRG4PF50W393.53Контест
 IRG4PF50W393.53Контест
 IRG4PF50W
Infineon
запросДКО Электронщик
 IRG4PF50W
Infineon
запросДКО Электронщик
10.Fujitsu-Siemens FGH60N60SFDTUFGH60N60SFDTU
IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247
  
 FGH60N60SFDTU
Fujitsu-Siemens
157.07Элрус
 FGH60N60SFDTU
Fairchild
207.00
225.00
262.00
Терраэлектроника
 FGH60N60SFDTU
Fairchild
234.16Контест
 FGH60N60SFDTU
Fairchild
234.16Контест
 FGH60N60SFDTU
Fairchild
243.15Контест
 FGH60N60SFDTU
Fairchild
243.15Контест
 FGH60N60SFDTU
Fujitsu-Siemens
286.14Контест
 FGH60N60SFDTU
Fujitsu-Siemens
286.14Контест
 FGH60N60SFDTU
Fairchild
601.73Кремний
11.STMicroelectronics STGB10NB37LZT4STGB10NB37LZT4
IGBT транзистор - [TO-263-2], Uкэ.макс: 410 В, Iк@25°C: 10 А, Uкэ.нас: 1.2 В, tнар: 1.3 мкс, tспада: 3.6 мкс
  
 STGB10NB37LZT4
STMicroelectronics
83.37Элрус
 STGB10NB37LZT4
STMicroelectronics
104.00
114.00
133.00
Терраэлектроника
 STGB10NB37LZT4
STMicroelectronics
104.00
114.00
133.00
ДКО Электронщик
 STGB10NB37LZT4
STMicroelectronics
104.00
114.00
133.00
ДКО Электронщик
 STGB10NB37LZT4
STMICROELECTR -
137.07Контест
 STGB10NB37LZT4
STMICROELECTR -
137.07Контест
 STGB10NB37LZT4
STMicroelectronics
151.88Контест
 STGB10NB37LZT4
STMicroelectronics
151.88Контест
 STGB10NB37LZT4
STMicroelectronics
запросTradeElectronics
12.Semikron SKM100GB176DSKM100GB176D
IGBT MODULE, DUAL, 1700V, Transistor Type:IGBT Module, Transistor Polarity:N Channel, Voltage, Vces:1700V, Current, Ic Continuous a Max:125A, Voltage, Vce Sat Max:2.45V, Case Style:SEMITRANS 2, Termination Type:Screw, Centres, Fixing:80mm, Current, Ic ...
  
 SKM100GB176D
Semikron
1,986.75Элрус
 SKM100GB176D
Semikron
2,088.00Элитан
 SKM100GB176D
Semikron
2,500.00
2,720.00
3,180.00
Терраэлектроника
 SKM100GB176D
Semikron
2,500.00
2,720.00
3,180.00
ДКО Электронщик
 SKM100GB176D
Semikron
2,500.00
2,720.00
3,180.00
ДКО Электронщик
 SKM100GB176D
Semikron
2,631.58Интерия
 SKM100GB176D
Semikron
2,836.64Контест
 SKM100GB176D
Semikron
3,373.00Ким
 SKM100GB176D
Semikron
запросЭлектроПласт
13. HGTG30N60B3DHGTG30N60B3D
Транзистор IG.600В 63A TO247
  
 HGTG30N60B3D90.41Контест
 HGTG30N60B3D90.41Контест
 HGTG30N60B3D
Fairchild
320.00
348.00
406.00
Терраэлектроника
 HGTG30N60B3D
Fairchild
362.59Контест
 HGTG30N60B3D
Fairchild
362.59Контест
 HGTG30N60B3D
Fujitsu-Siemens
481.18Контест
 HGTG30N60B3D
Fujitsu-Siemens
481.18Контест
 HGTG30N60B3D
Fairchild
497.90Контест
 HGTG30N60B3D
Fairchild
497.90Контест
14.Semikron SKM300GAL12E4SKM300GAL12E4
SKM300GAL12E4  силовой модуль IGBT Внутренняя схема GAL Кол-во ключей в модуле:1 Напряжение 1,2 к Рабочий ток при 25°C 300 Корпус SEMITRANS3Особенности IGBT4 4 Защита от короткого замыкания СамодиагностикаТипичные о
  
 SKM300GAL12E4
Semikron
4,230.63Элрус
 SKM300GAL12E4
Semikron
5,577.37Элрус
 SKM300GAL12E4
Semikron
5,653.00Элитан
 SKM300GAL12E4
Semikron
5,925.99Интерия
 SKM300GAL12E4
Semikron
6,250.00Терраэлектроника
 SKM300GAL12E4
Semikron
6,250.00ДКО Электронщик
 SKM300GAL12E4
Semikron
8,018.00Ким
 SKM300GAL12E4
Semikron
запросLifeElectronics
15.Semikron SKM300GB12E4SKM300GB12E4
Технические характеристики:Внутренняя схема:    GB    Кол-во ключей в модуле:    2Напряжение К-Э:    1.2 кВРабочий ток при 25°C:    300 АТехнология кристалла:&nb
  
 SKM300GB12E4
Semikron
6,341.89Элрус
 SKM300GB12E4
Semikron
8,469.00Элитан
 SKM300GB12E4
Semikron
8,883.30Интерия
 SKM300GB12E4
Semikron
9,370.00ДКО Электронщик
 SKM300GB12E4
Semikron
9,370.00Терраэлектроника
 SKM300GB12E4
Semikron
12,019.00Ким
 SKM300GB12E4
Semikron
запросЭлрус
 SKM300GB12E4
Semikron
запросTradeElectronics
16.Infineon SGP07N120SGP07N120
IGBT NPT 1200V 16.5A 125W TO220
  
 SGP07N120
Infineon
101.17Элрус
 SGP07N120
Infineon
103.00
112.00
131.00
ДКО Электронщик
 SGP07N120
Infineon
103.00
112.00
131.00
Терраэлектроника
 SGP07N120
Infineon
103.00
112.00
131.00
ДКО Электронщик
 SGP07N120
Infineon
103.00
112.00
131.00
ДКО Электронщик
 SGP07N120
Infineon
184.30Контест
 SGP07N120
Infineon
184.30Контест
 SGP07N120
Infineon
запросТаймЧипс
17.STMicroelectronics STGD3NB60SDT4STGD3NB60SDT4
IGBT транзистор - [TO-252-3]
  
 STGD3NB60SDT4
STMicroelectronics
21.88Элрус
 STGD3NB60SDT4
STMicroelectronics
27.10
29.50
34.40
Терраэлектроника
 STGD3NB60SDT4
STMicroelectronics
27.10
29.50
34.40
ДКО Электронщик
 STGD3NB60SDT4
STMicroelectronics
27.10
29.50
34.40
ДКО Электронщик
 STGD3NB60SDT4
STMicroelectronics
27.10
29.50
34.40
ДКО Электронщик
 STGD3NB60SDT4
STMicroelectronics
39.86Контест
 STGD3NB60SDT4
STMicroelectronics
39.86Контест
 STGD3NB60SDT4
STMicroelectronics
запросTradeElectronics
18.Semikron SKM400GB176DSKM400GB176D
IGBT MODULE, DUAL, 1700V, Transistor Type:IGBT Module, Transistor Polarity:N Channel, Voltage, Vces:1700V, Current, Ic Continuous a Max:430A, Voltage, Vce Sat Max:2.4V, Case Style:SEMITRANS 3, Termination Type:Screw, Centres, Fixing:93mm, Current, Ic ...
  
 SKM400GB176D
Semikron
8,618.33Элрус
 SKM400GB176D
Semikron
12,385.86Интерия
 SKM400GB176D
Semikron
12,425.00Элитан
 SKM400GB176D
Semikron
13,750.00Терраэлектроника
 SKM400GB176D
Semikron
13,750.00ДКО Электронщик
 SKM400GB176D
Semikron
16,728.00Ким
 SKM400GB176D
Semikron
запросЭлектроПласт - Екатеринбург
 SKM400GB176D
Semikron
запросЭлрус
19.Fujitsu-Siemens FGH40N60UFDTUFGH40N60UFDTU
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
  
 FGH40N60UFDTU
Fujitsu-Siemens
108.16Элрус
 FGH40N60UFDTU
Fairchild
161.39Контест
 FGH40N60UFDTU
Fairchild
161.39Контест
 FGH40N60UFDTU
ONSEMICONDUCTOR -
186.91Контест
 FGH40N60UFDTU
ONSEMICONDUCTOR -
186.91Контест
 FGH40N60UFDTU
Fujitsu-Siemens
206.54Контест
 FGH40N60UFDTU
Fujitsu-Siemens
206.54Контест
20.Infineon IRGPS60B120KDPIRGPS60B120KDP
IGBT W/DIODE 1200V 105A SUPER247 Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Channel Voltage Vces 1200V Current Ic Continuous a Max 105A Voltage Vce Sat Max 2.75V Power Dissipation 595W Case Style Super-247 Termination Type Through Hol
  
 IRGPS60B120KDP
Infineon
500.36Элрус
 IRGPS60B120KDP650.00
668.10
681.90
714.30
750.00
PL-1
 IRGPS60B120KDP
Infineon
1,010.00
1,100.00
1,280.00
Терраэлектроника
 IRGPS60B120KDP
Infineon
1,021.79Контест
 IRGPS60B120KDP
Infineon
1,021.79Контест
 IRGPS60B120KDP
Infineon
1,217.96Кремний
 IRGPS60B120KDP
Infineon
запросДКО Электронщик
 Страницы:
← предыдущая   следующая →
Курсы валют ЦБ РФ на 20.10.2017:
USD57.5706
EUR67.9333
Срезы ↓
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Цена: от 3 168 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
DIY настольный 3D принтер
Цена: 163 $ (9500 руб.)
Промо-акция, последняя скидка
Очки с подсветкой и сменными окулярами
Цена: от 8 $ (477 руб.)
Бесплатная доставка: Весь мир
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс