Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Транзисторы, транзисторные сборки и модули » Биполярные транзисторные сборки и модули » ON Semiconductor
Найдено: 590   Вывод: 1 - 20 (221 предложений)
NНаименованиеЦена, руб.Поставщик
1.BC847CDW1T1G
Тип корпуса: SC-88 Производитель: ON Semiconductor Corporation Транзистор биполярный стандартный
  
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
1.28Элитан
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
1.29
1.37
1.49
1.67
1.92
Элрус
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
1.41
1.70
3.21
Элрус
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
1.43
1.52
ICdarom
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
1.50
1.60
1.90
Терраэлектроника
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
1.50
1.60
1.90
ДКО Электронщик
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
1.55Интерия
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
3.59Контест
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
9.00Ким
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
2.ON Semiconductor MC1413BDR2GMC1413BDR2G
Тип корпуса: SOIC-16 Производитель: ON Semiconductor Corporation DC интеллектуальный ключ
  
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
8.56
9.09
9.90
11.09
12.77
Элрус
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
9.01Элитан
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
9.67
9.92
11.28
Элрус
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
9.80
10.60
12.40
ДКО Электронщик
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
9.80
10.60
12.40
Терраэлектроника
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
9.94
10.50
ICdarom
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
10.50Интерия
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
11.13Контест
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
11.13Контест
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
22.00Ким
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
запросКремний
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
запросLifeElectronics
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
запросКремний
3.ON Semiconductor MC1413BDGMC1413BDG
TRANSISTOR ARRAY; Transistor Polarity:NPN Darlington; Transistors, No. of:7; Voltage, Vceo:50V; Current, Ic Continuous a Max:500mA; Termination Type:SMD; Case Style:16-SOIC; Pins, No. of:16; Temperature, Operating Range:-40°C to +85°C
  
 MC1413BDG
ON Semiconductor
9.47Элитан
 MC1413BDG
ON Semiconductor
10.76
11.43
12.45
13.95
16.08
Элрус
 MC1413BDG
ON Semiconductor
11.20
12.55
20.37
Элрус
 MC1413BDG
ON Semiconductor
11.38
12.01
ICdarom
 MC1413BDG
ON Semiconductor
12.30
13.30
15.60
ДКО Электронщик
 MC1413BDG
ON Semiconductor
12.30
13.30
15.60
Терраэлектроника
 MC1413BDG
ON Semiconductor
12.83Интерия
 MC1413BDG
ON Semiconductor
14.01Контест
 MC1413BDG
ON Semiconductor
14.01Контест
 MC1413BDG
ON Semiconductor
26.00Ким
 MC1413BDG
ON Semiconductor
запросКремний
 MC1413BDG
ON Semiconductor
запросЭФО
 MC1413BDG
ON Semiconductor
запросКремний
 MC1413BDG
ON Semiconductor
запросОкеан Электроники
 MC1413BDG
ON Semiconductor
запросЭФО
4.ON Semiconductor MUN5311DW1T1GMUN5311DW1T1G
Bias Resistor Transistor; Transistor Type:Small Signal Digital (BRT); Transistor Polarity:NPN & PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:50V; Base Input Resistor, R1:10000ohm; Base-Emitter Resistor, R2:10000ohm
  
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.24Элитан
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.34
1.42
1.55
1.74
2.01
Элрус
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.41
1.51
ICdarom
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.46
1.75
3.30
Элрус
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.60Интерия
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.60
1.70
2.00
Терраэлектроника
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.60
1.70
2.00
ДКО Электронщик
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.73Контест
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
9.00Ким
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
запросТаймЧипс
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
5.ON Semiconductor BC847BDW1T1GBC847BDW1T1G
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):200V; DC Current Gain Min (hfe):200; Package/Case:SOT-363; C-E Breakdown Voltage:45V; Collector Current:0.1A; Frequency Min:0.38MHz
  
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.08Элитан
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.13
1.20
1.31
1.46
1.69
Элрус
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.25
1.33
ICdarom
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.28
1.46
2.38
Элрус
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.30
1.40
1.70
Терраэлектроника
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.30
1.40
1.70
ДКО Электронщик
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.35Интерия
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.48Контест
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
8.00Ким
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
6.ON Semiconductor MUN5211DW1T1GMUN5211DW1T1G
Bias Resistor Transistor; Transistor Type:Small Signal Digital (BRT); Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:50V; Base Input Resistor, R1:10000ohm; Base-Emitter Resistor, R2:10000ohm
  
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
1.17Элитан
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
1.22
1.30
1.41
1.59
1.82
Элрус
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
1.26
1.52
2.86
Элрус
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
1.30
1.38
ICdarom
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
1.40
1.60
1.80
ДКО Электронщик
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
1.40
1.60
1.80
Терраэлектроника
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
1.45Интерия
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
1.59Контест
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
8.00Ким
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт - Екатеринбург
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
7.ON Semiconductor MC1413DR2GMC1413DR2G
Transistor Array IC; No. of Transistors:7; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:1.1V; Continuous Collector Current, Ic:500mA; Package/Case:16-SOIC; No. of Pins:16; Leaded Process Compatible:Yes; Operating Temp. Max:85°C
  
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
11.10Элитан
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
12.00
13.00
15.20
Терраэлектроника
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
35.00Ким
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросИнтерия
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросКремний
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросКремний
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросКонтест
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросКремний
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросКонтест
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросКремний
8.BC846BDW1T1G
Тип корпуса: SOT323-6 Производитель: ON Semiconductor Corporation Биполярный транзистор.
  
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
1.15Элитан
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
1.15
1.23
1.34
1.50
1.73
Элрус
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
1.30
1.38
ICdarom
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
1.37
1.65
3.12
Элрус
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
1.38Интерия
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
1.40
1.50
1.70
ДКО Электронщик
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
1.40
1.50
1.70
Терраэлектроника
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
8.00Ким
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
запросКонтест
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
запросОкеан Электроники
9.ON Semiconductor ULN2003ADR2GULN2003ADR2G
Тип корпуса: SO16-150 Производитель: ON Semiconductor Corporation Массив транзисторов Дарлингтона, высоковольтный, для больших токов..
  
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
8.19Элитан
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
8.57
9.11
9.92
11.12
12.81
Элрус
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
9.28
10.40
16.87
Элрус
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
9.37
9.88
ICdarom
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
9.80
10.60
12.40
Терраэлектроника
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
10.22Интерия
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
11.15Контест
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
11.15Контест
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
20.00Ким
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
запросTradeElectronics
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
запросЭФО
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
запросКремний
10.ON Semiconductor MC1413DGMC1413DG
SOIC 16/I°/HIGH VOLTAGE, HIGH CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS
  
 MC1413DG
ON Semiconductor
11.00Элитан
 MC1413DG
ON Semiconductor
13.04
14.32
20.15
Элрус
 MC1413DG
ON Semiconductor
22.53Контест
 MC1413DG
ON Semiconductor
22.53Контест
 MC1413DG
ON Semiconductor
24.10
26.30
30.60
Терраэлектроника
 MC1413DG
ON Semiconductor
запросКремний
 MC1413DG
ON Semiconductor
запросИнтерия
 MC1413DG
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт - Екатеринбург
 MC1413DG
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 MC1413DG
ON Semiconductor
запросЭФО
 MC1413DG
ON Semiconductor
запросЭФО
 MC1413DG
ON Semiconductor
запросКремний
11.ON Semiconductor MUN5335DW1T1GMUN5335DW1T1G
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA Complementary 50V NPN & PNP SC70-6/SMALL SIGNAL BIAS RESISTOR TRANSISTOR COMPLIMENTARY NPN & PNP 50V
  
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
1.50
1.70
1.90
Терраэлектроника
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
1.51
1.83
3.44
Элрус
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
1.73Элитан
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
1.77Интерия
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
3.84Контест
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
9.00Ким
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
запросTradeElectronics
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
12.ON Semiconductor MUN5314DW1T1GMUN5314DW1T1G
Тип корпуса: SC-88 Производитель: ON Semiconductor Corporation Транзистор биполярный стандартный
  
 MUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
1.29
1.37
1.49
1.67
1.92
Элрус
 MUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
1.32Элитан
 MUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
1.47
1.58
ICdarom
 MUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
1.50
1.60
1.90
Терраэлектроника
 MUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
1.52
1.56
1.77
Элрус
 MUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
1.56Интерия
 MUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
1.69Контест
 MUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
9.00Ким
 MUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт
 MUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
13.ON Semiconductor MJB41CT4GMJB41CT4G
Тип корпуса: D2PAK-3 Производитель: ON Semiconductor Corporation Транзистор биполярный стандартный
  
 MJB41CT4G
ON Semiconductor
32.70Элитан
 MJB41CT4G
ON Semiconductor
33.22
35.27
38.43
43.08
49.63
Элрус
 MJB41CT4G
ON Semiconductor
37.70
41.10
47.90
Терраэлектроника
 MJB41CT4G
ON Semiconductor
39.77
42.19
ICdarom
 MJB41CT4G
ON Semiconductor
40.79Интерия
 MJB41CT4G
ON Semiconductor
43.22Контест
 MJB41CT4G
ON Semiconductor
45.28
48.74
61.73
Элрус
 MJB41CT4G
ON Semiconductor
67.00Ким
 MJB41CT4G
ON Semiconductor
запросТаймЧипс
 MJB41CT4G
ON Semiconductor
запросКремний
14.ON Semiconductor MUN5213DW1T1GMUN5213DW1T1G
SOT363/DUAL BIAS RESISTOR TRANSISTORS NPN SILICON SURFACE MOUNT TRANSISTORS
  
 MUN5213DW1T1G
ON Semiconductor
1.24Элитан
 MUN5213DW1T1G
ON Semiconductor
1.43
1.46
1.67
Элрус
 MUN5213DW1T1G
ON Semiconductor
1.86Контест
 MUN5213DW1T1G
ON Semiconductor
2.60
2.80
3.30
Терраэлектроника
 MUN5213DW1T1G
ON Semiconductor
запросИнтерия
 MUN5213DW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MUN5213DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MUN5213DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MUN5213DW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
15.ON Semiconductor MUN5312DW1T1GMUN5312DW1T1G
Цифровой биполярный транзистор, сборка, ток смещения, NPN/PNP, 0.187W
  
 MUN5312DW1T1G
ON Semiconductor
1.17Элитан
 MUN5312DW1T1G
ON Semiconductor
1.36
1.39
1.58
Элрус
 MUN5312DW1T1G
ON Semiconductor
1.77Контест
 MUN5312DW1T1G
ON Semiconductor
запросИнтерия
 MUN5312DW1T1G
ON Semiconductor
запросTradeElectronics
 MUN5312DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MUN5312DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MUN5312DW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
16.ON Semiconductor MC1413BPGMC1413BPG
PDIP 16/I°/HIGH VOLTAGE, HIGH CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS
  
 MC1413BPG
ON Semiconductor
18.50Элитан
 MC1413BPG
ON Semiconductor
запросИнтерия
 MC1413BPG
ON Semiconductor
запросКремний
 MC1413BPG
ON Semiconductor
запросМосЧип
 MC1413BPG
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 MC1413BPG
ON Semiconductor
запросЭФО
 MC1413BPG
ON Semiconductor
запросЭФО
 MC1413BPG
ON Semiconductor
запросКремний
17.MUN5111DW1T1G
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT Dual PNP
  
 MUN5111DW1T1G
ON Semiconductor
1.34Элитан
 MUN5111DW1T1G
ON Semiconductor
1.58
1.61
1.83
Элрус
 MUN5111DW1T1G
ON Semiconductor
2.04Контест
 MUN5111DW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MUN5111DW1T1G
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 MUN5111DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MUN5111DW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
18.ON Semiconductor MUN5313DW1T1GMUN5313DW1T1G
Цифровой биполярный транзистор, сборка, ток смещения, NPN/PNP, 0.256W
  
 MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor
1.24Элитан
 MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor
1.43
1.46
1.67
Элрус
 MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor
1.86Контест
 MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor
запросИнтерия
 MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor
запросLifeElectronics
 MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
19.ON Semiconductor MBT2222ADW1T1GMBT2222ADW1T1G
TRANS NPN GP 600MA 40V SOT-363
  
 MBT2222ADW1T1G
ON Semiconductor
1.51Элитан
 MBT2222ADW1T1G
ON Semiconductor
запросКонтест
 MBT2222ADW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MBT2222ADW1T1G
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт - Екатеринбург
 MBT2222ADW1T1G
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 MBT2222ADW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MBT2222ADW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
20.MC1413PG
IC TRANS ARRAY DARL HV 16DIP
  
 MC1413PG
ON Semiconductor
14.20Элитан
 MC1413PG
ON Semiconductor
запросИнтерия
 MC1413PG
ON Semiconductor
запросКремний
 MC1413PG
ON Semiconductor
запросКремний
 MC1413PG
ON Semiconductor
запросTradeElectronics
 MC1413PG
ON Semiconductor
запросЭФО
 MC1413PG
ON Semiconductor
запросКремний
 Страницы:
← предыдущая   следующая →
Курсы валют ЦБ РФ на 20.01.2018:
USD56.5892
EUR69.3953
Срезы ↓
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Цена: от 3 168 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс

Рейтинг@Mail.ru