HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet PMEG6010AED,115 - NXP Даташит — Даташит

Наименование модели: PMEG6010AED,115

7 предложений от 7 поставщиков
DIODE SCHOTTKY 60V 1A 6TSOP
T-electron
Россия и страны СНГ
PMEG6010AED.115
Nexperia
6.42 ₽
AiPCBA
Весь мир
PMEG6010AED,115
NXP
18 ₽
LifeElectronics
Россия
PMEG6010AED,115
NXP
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
PMEG6010AED115
NXP
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
lfpage
M3D302
PMEG6010AED Low VF (MEGA) Schottky barrier diode

Спецификации:

  • Diode Type: Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 60 В
  • Forward Current If(AV): 1 А
  • Forward Voltage VF Max: 650 мВ
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 17.5 А
  • Тип корпуса: SOT-457
  • Количество выводов: 6

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Bourns - PN-DESIGNKIT-4.

Варианты написания:

PMEG6010AED115, PMEG6010AED 115

На английском языке: Datasheet PMEG6010AED,115 - NXP

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России