Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet 1N5819G - ON Semiconductor Даташит Диод, Шоттки, 1 А, 59-10

ON Semiconductor 1N5819G

Наименование модели: 1N5819G

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Диод, Шоттки, 1 А, 59-10

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
1N5817, 1N5818, 1N5819
1N5817 and 1N5819 are Preferred Devices
Axial Lead Rectifiers
This series employs the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features chrome barrier metal, epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. Ideally suited for use as rectifiers in low-voltage, high-frequency inverters, free wheeling diodes, and polarity protection diodes.
Features

Спецификации:

  • Diode Type: Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 40 В
  • Forward Current If(AV): 1 А
  • Forward Voltage VF Max: 600 мВ
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 25 А
  • Тип корпуса: Axial Leaded
  • Количество выводов: 2
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Ifsm: 25 А
  • Forward Voltage: 600 мВ
  • Температура перехода максимальная: 125°C
  • Способ монтажа: Axial Leaded
  • Breakdown Voltage Max: 40 В
  • Current Ir Max: 1000 мкА

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • STANNOL - 631954

На английском языке: Datasheet 1N5819G - ON Semiconductor DIODE, SCHOTTKY, 1 A, 59-10

    Диоды и выпрямители Шоттки Vr/40V Io/1A BULK
    Цены на 1N5819G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    Элитан1N5819-G4,45 руб.
    КремнийONS1N5819Gпо запросу
    ДКО ЭлектронщикON Semiconductor1N5819Gпо запросу
    ТаймЧипсON Semiconductor1N5819Gпо запросу
    Интерия1N5819Gпо запросу
    Все 7 предложений от 7 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс