Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet 1N5822G - ON Semiconductor Даташит Диод, Шоттки, 3 А, 59-10

ON Semiconductor 1N5822G

Наименование модели: 1N5822G

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Диод, Шоттки, 3 А, 59-10

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
1N5820, 1N5821, 1N5822
1N5820 and 1N5822 are Preferred Devices
Axial Lead Rectifiers
This series employs the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features chrome barrier metal, epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. Ideally suited for use as rectifiers in low-voltage, high-frequency inverters, free wheeling diodes, and polarity protection diodes.
Features

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Diode Type: Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 40 В
  • Forward Current If(AV): 3 А
  • Forward Voltage VF Max: 525 мВ
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 80 А
  • Тип корпуса: DO-201AD
  • Количество выводов: 2
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Ifsm: 80 А
  • Forward Voltage: 525 мВ
  • Температура перехода максимальная: 125°C
  • Способ монтажа: Axial Leaded
  • Breakdown Voltage Max: 40 В
  • Current Ir Max: 2000 мкА

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • STANNOL - 631954

На английском языке: Datasheet 1N5822G - ON Semiconductor DIODE, SCHOTTKY, 3 A, 59-10

    Диоды и выпрямители Шоттки Vr/40V Io/3A BULK
    Цены на 1N5822G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанON Semiconductor1N5822G9,39 руб.
    КремнийONS1N5822Gпо запросу
    ДКО ЭлектронщикON Semiconductor1N5822Gпо запросу
    Интерия1N5822Gпо запросу
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургSTMicroelectronics1N5822-Gпо запросу
    Все 8 предложений от 8 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс