Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet MBD54DWT1G - ON Semiconductor Даташит Диод Шоттки, 200 мА FORWARD

ON Semiconductor MBD54DWT1G

Наименование модели: MBD54DWT1G

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Диод Шоттки, 200 мА FORWARD

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MBD54DWT1
Preferred Device
Dual Schottky Barrier Diodes
These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for hand held and portable applications where space is limited.
Features http://onsemi.com

Спецификации:

  • Diode Type: Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 30 В
  • Forward Current If(AV): 200 мА
  • Forward Voltage VF Max: 320 мВ
  • Reverse Recovery Time trr Max: 5 нс
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 600 мА
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Тип корпуса: SOT-363
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Ifsm: 600 мА
  • Температура перехода максимальная: 125°C
  • Reverse Recovery Time trr Typ: 5 нс
  • Способ монтажа: SMD

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MBD54DWT1G - ON Semiconductor SCHOTTKY DIODE, 200 mA FORWARD

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT363
    Цены на MBD54DWT1G
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанON Semiconductor4,37 руб.
    ДКО ЭлектронщикON Semiconductorпо запросу
    Кремнийпо запросу
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургON Semiconductorпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс