Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet MBR150G - ON Semiconductor Даташит Диод Шоттки, 1 А FORWARD

ON Semiconductor MBR150G

Наименование модели: MBR150G

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Диод Шоттки, 1 А FORWARD

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MBR150, MBR160
MBR160 is a Preferred Device
Axial Lead Rectifiers
The MBR150/160 series employs the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. Ideally suited for use as rectifiers in low-voltage, high-frequency inverters, free wheeling diodes, and polarity protection diodes.
Features

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Diode Type: Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 50 В
  • Forward Current If(AV): 1 А
  • Forward Voltage VF Max: 750 мВ
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 25 А
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Тип корпуса: Axial Leaded
  • Количество выводов: 2
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Ifsm: 25 А
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Способ монтажа: Axial Leaded

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MBR150G - ON Semiconductor SCHOTTKY DIODE, 1 A FORWARD

    DIODE SCHOTTKY 50V 1A AXIAL
    Цены на MBR150G
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанON Semiconductor7,74 руб.
    ДКО ЭлектронщикON Semiconductorпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Океан ЭлектроникиON Semiconductorпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс