Datasheet MBR3100G - ON Semiconductor Даташит Диод, Шоттки, 3 А, DO-201AD

Наименование модели: MBR3100G

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Диод, Шоттки, 3 А, DO-201AD

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MBR3100
Preferred Device
Axial Lead Rectifier
This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. Ideally suited for use as rectifiers in low-voltage, high-frequency inverters, free wheeling diodes, and polarity protection diodes.
Features

Данные для моделирования

Спецификации:

• Diode Type: Schottky
• Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 100 В
• Forward Current If(AV): 3 А
• Forward Voltage VF Max: 790 мВ
• Forward Surge Current Ifsm Max: 150 А
• Тип корпуса: DO-201AD
• Количество выводов: 2
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Ifsm: 150 А
• Forward Voltage: 790 мВ
• Температура перехода максимальная: 175°C
• Способ монтажа: Axial Leaded
• Breakdown Voltage Max: 100 В
• Current Ir Max: 600 мкА

RoHS: есть