Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
Срез:Электронные компоненты

Datasheet MBR3100G - ON Semiconductor Даташит Диод, Шоттки, 3 А, DO-201AD

ON Semiconductor MBR3100G

Наименование модели: MBR3100G

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Диод, Шоттки, 3 А, DO-201AD

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Preferred Device
Axial Lead Rectifier
This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. Ideally suited for use as rectifiers in low-voltage, high-frequency inverters, free wheeling diodes, and polarity protection diodes.

Данные для моделированияДанные для моделирования


  • Diode Type: Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 100 В
  • Forward Current If(AV): 3 А
  • Forward Voltage VF Max: 790 мВ
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 150 А
  • Тип корпуса: DO-201AD
  • Количество выводов: 2
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Ifsm: 150 А
  • Forward Voltage: 790 мВ
  • Температура перехода максимальная: 175°C
  • Способ монтажа: Axial Leaded
  • Breakdown Voltage Max: 100 В
  • Current Ir Max: 600 мкА

RoHS: есть

    DIODE, SCHOTTKY, 3A, DO-201AD (145-9058)
    Цены на MBR3100G
    ЭлитанON SemiconductorMBR3100G16,80 руб.
    КремнийON SemiconductorMBR3100Gпо запросу
    TradeElectronicsON SemiconductorMBR3100Gпо запросу
    ПолигонON SemiconductorMBR3100G ON SEMICONDUCTORпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс