Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
Срез:Электронные компоненты

Datasheet MBR350RLG - ON Semiconductor Даташит Диод, Шоттки, 3 А, 50 В, AXIAL

ON Semiconductor MBR350RLG

Наименование модели: MBR350RLG

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Диод, Шоттки, 3 А, 50 В, AXIAL

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MBR350, MBR360
MBR360 is a Preferred Device
Axial Lead Rectifiers
These devices employ the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. Ideally suited for use as rectifiers in low-voltage, high-frequency inverters, free wheeling diodes, and polarity protection diodes.

Данные для моделированияДанные для моделирования


  • Diode Type: Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 50 В
  • Forward Current If(AV): 3 А
  • Forward Voltage VF Max: 740 мВ
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 80 А
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Тип корпуса: DO-201AD
  • Количество выводов: 2
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Ifsm: 80 А
  • Forward Voltage: 740 мВ
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Способ монтажа: Axial Leaded
  • Current Ir Max: 600 мкА

RoHS: есть

    DIODE, SCHOTTKY, 3A, 50V, AXIAL (143-1062)
    Цены на MBR350RLG
    ЭлитанON SemiconductorMBR350RLG9,24 руб.
    КремнийON SemiconductorMBR350RLGпо запросу
    МосЧипON SemiconductorMBR350RLGпо запросу
    ПолигонON SemiconductorMBR350RLG ON SEMICONDUCTORпо запросу
    ИнтерияMBR350RLGпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс