ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet BAS29,215 - NXP Даташит Диод, КВ, 110 В, 0.25 А , SOT-23 — Даташит

NXP BAS29,215

Наименование модели: BAS29,215

23 предложений от 11 поставщиков
Диод слабых сигналов, Одиночный, 110 В, 250 мА, 1.25 В, 50 нс, 10 А
T-electron
Россия и страны СНГ
BAS29.215
Nexperia
5.96 ₽
BAS29,215
Nexperia
от 11 ₽
LifeElectronics
Россия
BAS29215
Fairchild
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
BAS29215
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Диод, КВ, 110 В, 0.25 А , SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D088
BAS29; BAS31; BAS35 General purpose controlled avalanche (double) diodes

Спецификации:

  • Diode Type: General Purpose
  • Forward Current If(AV): 400 мА
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 110 В
  • Forward Voltage VF Max: 1.25 В
  • Reverse Recovery Time trr Max: 50 нс
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 10 А
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Тип корпуса: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Ifsm: 10 А
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Reverse Recovery Time trr Typ: 50 нс
  • Способ монтажа: SMD

RoHS: есть

Варианты написания:

BAS29215, BAS29 215

На английском языке: Datasheet BAS29,215 - NXP DIODE, SW, 110 V, 0.25 A , SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России