Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet BAT18 - NXP Даташит Диод, диапазон частот, SWITCHING — Даташит

NXP BAT18

Наименование модели: BAT18

26 предложений от 23 поставщиков
Silicon RF Switching Diode (Low-loss VHF/UHF switch above 10 MHz Pin diode with low forward resistance)
Триема
Россия
BAT18
3.00 ₽
Контест
Россия
BAT18
Infineon
3.60 ₽
СЭлКом
Россия и страны СНГ
BAT18
8.22 ₽
BAT18-E6327
Siemens
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Диод, диапазон частот, SWITCHING

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BAT18
Silicon planar diode
Rev.

02 -- 31 August 2004 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Diode Type: Variable Capacitance
  • Forward Current If(AV): 100 мА
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 35 В
  • Forward Voltage VF Max: 1.2 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +125°C
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Ir Max: 100 нА
  • Маркировка: 10*
  • External Depth: 1.1 мм
  • Внешняя длина / высота: 1.4 мм
  • Внешняя ширина: 3 мм
  • Peak Forward Current: 100 мА
  • Pin Configuration: 1 А, 2NC, 3K
  • Reverse Voltage Vr Max: 35 В
  • Способ монтажа: SMD
  • Vr Ir Measurement Voltage: 20 В
  • Capacitance @ VR1: 1 пФ
  • Capacitance Cd @ Vr Max: 1 пФ
  • Capacitance Cd @ Vr Typ: 0.8 пФ
  • Capacitance Ct: 1 пФ
  • Resistance Rd Max: 0.7 Ом
  • Reverse Voltage Vr1: 35 В
  • Vr Cd Measurement Voltage Max: 20 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BAT18 - NXP DIODE, BAND, SWITCHING

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России