LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet BAV199W,115 - NXP Даташит — Даташит

NXP BAV199W,115

Наименование модели: BAV199W,115

42 предложений от 21 поставщиков
Диод слабых сигналов, Двойной Последовательный, 85 В, 110 мА, 1.25 В, 3 мкс, 4 А
AliExpress
Весь мир
Коммутационный диод BAS16 BAS16W BAS16W, 100 BAS19 BAS19W BAV199W,115 BAS20 BAS20W BAS20HT1G BAS21 BAS21W SOT-115-3,
0.60 ₽
BAV199W.115
NXP
1.63 ₽
Элитан
Россия
BAV199W,115
NXP
3.80 ₽
Acme Chip
Весь мир
BAV199W.115
NXP
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D102
BAV199W Low-leakage double diode

Спецификации:

  • Diode Type: Switching
  • Forward Current (AV): 150 мА
  • Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm: 85 В
  • Forward Voltage Max, VF: 1.25 В
  • Reverse Recovery Time, trr: 3 мкс
  • Forward Surge Current Max, Ifsm: 4 А
  • Тип корпуса: SOT-323

RoHS: есть

Варианты написания:

BAV199W115, BAV199W 115

На английском языке: Datasheet BAV199W,115 - NXP

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России