ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet BUK7Y08-40B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 75 А, LFPAK — Даташит

NXP BUK7Y08-40B

Наименование модели: BUK7Y08-40B

14 предложений от 11 поставщиков
МОП-транзистор N-CH TRENCHMOS STD LVL FET
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK7Y08-40B.115
Nexperia
34 ₽
ЧипСити
Россия
BUK7Y08-40B/C,115
NXP
79 ₽
Utmel
Весь мир
BUK7Y08-40B/C,115
NXP
по запросу
ТаймЧипс
Россия
BUK7Y08-40B
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 75 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK7Y08-40B
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.

03 -- 7 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 75 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 0.006 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 105 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: LFPAK
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK7Y0840B, BUK7Y08 40B

На английском языке: Datasheet BUK7Y08-40B - NXP MOSFET, N CH, 40 V, 75 A, LFPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России