ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet BUK7Y102-100B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 15 А, LFPAK — Даташит

NXP BUK7Y102-100B

Наименование модели: BUK7Y102-100B

26 предложений от 12 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10,6А; Idm: 60А; 60Вт
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK7Y102-100B.115
Nexperia
20 ₽
AiPCBA
Весь мир
BUK7Y102-100B,115
NXP
41 ₽
Akcel
Весь мир
BUK7Y102-100B,115
Nexperia
от 62 ₽
Utmel
Весь мир
BUK7Y102-100B
NXP
от 62 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 15 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK7Y102-100B
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.

03 -- 7 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 15 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.086 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 60 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: LFPAK
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK7Y102100B, BUK7Y102 100B

На английском языке: Datasheet BUK7Y102-100B - NXP MOSFET, N CH, 100 V, 15 A, LFPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России