Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BUK7Y102-100B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 15 А, LFPAK

NXP BUK7Y102-100B

Наименование модели: BUK7Y102-100B

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 15 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK7Y102-100B
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 03 -- 7 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 15 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.086 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 60 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: LFPAK
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: Y-Ex

На английском языке: Datasheet BUK7Y102-100B - NXP MOSFET, N CH, 100 V, 15 A, LFPAK

    МОП-транзистор N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET
    Цены на BUK7Y102-100B
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPBUK7Y102-100B22,00 руб.
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургNXPBUK7Y102-100Bпо запросу
    КремнийBUK7Y102-100B,115по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс