На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet BUK7Y25-40B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 35.3 А, LFPAK — Даташит

NXP BUK7Y25-40B

Наименование модели: BUK7Y25-40B

11 предложений от 11 поставщиков
МОП-транзистор N-CH 40 V 35.3 A
AiPCBA
Весь мир
BUK7Y25-40B/C3115
NXP
15 ₽
ChipWorker
Весь мир
BUK7Y25-40B/C3115
NXP
16 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK7Y25-40B.115
Nexperia
20 ₽
TradeElectronics
Россия
BUK7Y25-40B
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 35.3 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK7Y25-40B
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.

04 -- 7 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 35.3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 0.02 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 59.4 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: LFPAK
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK7Y2540B, BUK7Y25 40B

На английском языке: Datasheet BUK7Y25-40B - NXP MOSFET, N CH, 40 V, 35.3 A, LFPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России