Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet BUK7Y35-55B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 28.4 А, LFPAK — Даташит

NXP BUK7Y35-55B

Наименование модели: BUK7Y35-55B

10 предложений от 10 поставщиков
N-Channel 55 V 28.43A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
AiPCBA
Весь мир
BUK7Y35-55B,115
NXP
51 ₽
ChipWorker
Весь мир
BUK7Y35-55B,115
NXP
51 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
BUK7Y35-55B115
NXP
по запросу
Utmel
Весь мир
BUK7Y35-55B,115
NXP
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 28.4 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK7Y35-55B
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.

04 -- 7 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 28.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On Resistance Rds(on): 0.028 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 60 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: LFPAK
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK7Y3555B, BUK7Y35 55B

На английском языке: Datasheet BUK7Y35-55B - NXP MOSFET, N CH, 55 V, 28.4 A, LFPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России