ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet BUK7Y53-100B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 24.8 А, LFPAK — Даташит

NXP BUK7Y53-100B

Наименование модели: BUK7Y53-100B

25 предложений от 13 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 17,6А; Idm: 99А; 85Вт
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK7Y53-100B.115
Nexperia
26 ₽
ЭИК
Россия
BUK7Y53-100B,115
Nexperia
от 78 ₽
ChipWorker
Весь мир
BUK7Y53-100B,115
NXP
79 ₽
Utmel
Весь мир
BUK7Y53-100B,115
Nexperia
от 262 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 24.8 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK7Y53-100B
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.

3 -- 13 October 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 24.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.04 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 85 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: LFPAK
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK7Y53100B, BUK7Y53 100B

На английском языке: Datasheet BUK7Y53-100B - NXP MOSFET, N CH, 100 V, 24.8 A, LFPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России