Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BUK9Y19-75B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 75 В, 48.2 А, LFPAK

NXP BUK9Y19-75B

Наименование модели: BUK9Y19-75B

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 75 В, 48.2 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9Y19-75B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 04 -- 13 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 48.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 75 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0147 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.65 В
  • Рассеиваемая мощность: 106 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: LFPAK
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: Y-Ex

На английском языке: Datasheet BUK9Y19-75B - NXP MOSFET, N CH, 75 V, 48.2 A, LFPAK

    МОП-транзистор N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
    Цены на BUK9Y19-75B
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPBUK9Y19-75B198 руб.
    Океан ЭлектроникиNXPBUK9Y19-75Bпо запросу
    КремнийBUK9Y19-75B,115по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс