Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet CSD75301W1015 - Texas Instruments Даташит Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 1.2 А, 6DSBGA

Texas Instruments CSD75301W1015

Наименование модели: CSD75301W1015

Производитель: Texas Instruments

Описание: Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 1.2 А, 6DSBGA

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
CSD75301W1015
www.ti.com SLPS212B ­ AUGUST 2009 ­ REVISED NOVEMBER 2009
P-Channel NexFETTM Power MOSFET
Check for Samples: CSD75301W1015
1

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -1.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.08 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -700 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 800 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: DSBGA
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Continuous Drain Current Id, P Channel: -1.2 А
  • Drain Source Voltage Vds, P Channel: -20 В
  • Module Configuration: Dual P Channel
  • On Resistance Rds(on), P Channel: 0.15 Ом

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet CSD75301W1015 - Texas Instruments MOSFET, PP CH, 20 V, 1.2 A, 6DSBGA

    MOSFET PCH 20V 1.2A 6DSBGA
    Цены на CSD75301W1015
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанTexas Instruments35,00 руб.
    ДКО ЭлектронщикTexas Instrumentsпо запросу
    ТаймЧипсTexas Instrumentsпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс