Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet MUN5111DW1T1G - ON Semiconductor Даташит BRT транзистор, 50 В, 10K/10KOHM, SOT-363

ON Semiconductor MUN5111DW1T1G

Наименование модели: MUN5111DW1T1G

Производитель: ON Semiconductor

Описание: BRT транзистор, 50 В, 10K/10KOHM, SOT-363

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MUN5111DW1T1G Series
Preferred Devices
Dual Bias Resistor Transistors
PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5111DW1T1G series, two BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low-power surface mount applications where board space is at a premium.

Спецификации:

  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Рассеиваемая мощность: 187 мВт
  • DC Collector Current: -100 мА
  • DC Current Gain: 60
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MUN5111DW1T1G - ON Semiconductor BRT TRANSISTOR, 50 V, 10K/10KOHM, SOT-363

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанON Semiconductor2,12 руб.
    ДКО ЭлектронщикON Semiconductorпо запросу
    КонтестON Semiconductorпо запросу
    Интерияпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс