Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet CMF10120D - Cree Даташит N CH, SILICON CARBIDE (SiC) мощность полевой транзистор

Cree CMF10120D

Наименование модели: CMF10120D

Производитель: Cree

Описание: N CH, SILICON CARBIDE (SiC) мощность полевой транзистор

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 24 А
  • Drain Source Voltage Vds: 1.2 кВ
  • On Resistance Rds(on): 0.16 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
  • Полярность транзистора: N Channel

На английском языке: Datasheet CMF10120D - Cree N CH, SILICON CARBIDE (SiC) POWER MOSFET

    CMF10120D на РадиоЛоцман.Цены — от 1 181 до 2 855 руб.
    Исполнение: TO-247. MOSFET транзистор: N-канал, 1200 В, 24 А Тип канала : N Максимальное рабочее напряжение В: 1200 Rdson макс. при...
    Цены на CMF10120D
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанCreeCMF10120D1 181 руб.
    ICdaromCreeCMF10120Dот 1 679 руб.
    ТерраэлектроникаCreeCMF10120Dот 1 771 руб.
    КонтестCreeCMF10120D1 964 руб.
    ДессиCreeMOSFET транзистор CMF10120D2 738 руб.
    Все 12 предложений от 8 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс