Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet CMF10120D - Cree Даташит N CH, SILICON CARBIDE (SiC) мощность полевой транзистор

Cree CMF10120D

Наименование модели: CMF10120D

Производитель: Cree

Описание: N CH, SILICON CARBIDE (SiC) мощность полевой транзистор

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 24 А
  • Drain Source Voltage Vds: 1.2 кВ
  • On Resistance Rds(on): 0.16 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
  • Полярность транзистора: N Channel

На английском языке: Datasheet CMF10120D - Cree N CH, SILICON CARBIDE (SiC) POWER MOSFET

    CMF10120D на РадиоЛоцман.Цены — от 1 333 до 2 738 руб.
    Исполнение: TO-247. MOSFET транзистор: N-канал, 1200 В, 24 А Тип канала : N Максимальное рабочее напряжение В: 1200 Rdson макс. при...
    Цены на CMF10120D
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанCree1 333 руб.
    ТерраэлектроникаCreeот 1 639 руб.
    ICdaromCreeот 1 679 руб.
    ИнтерияCree1 735 руб.
    КонтестCree1 820 руб.
    Все 12 предложений от 8 поставщиков »
Срезы ↓
Электронный штангенциркуль из углепластика
Цена: 3.58 $ (223 руб.)
Бесплатная доставка: Весь мир
модуля дистанционного радиоуправления
Цена: 0.50 $ (31 руб.)
Доставка: Весь мир
Оригинальная ручка для подарка технарям
Цена: 0.97 $ (60 руб.)
Бесплатная доставка: Весь мир
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс