Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet FDMB3800N - Fairchild Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 4.8 А, MIRCOFET3X1.9

Наименование модели: FDMB3800N

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 4.8 А, MIRCOFET3X1.9

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDMB3800N Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET
October 2006
FDMB3800N Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET
30V, 4.8A, 40m Features General Description
Max rDS(on) = 40m at VGS = 10V, ID = 4.8A Max rDS(on) = 51m at VGS = 4.5V, ID = 4.3A Fast switching speed Low gate Charge High performance trench technology for extremely low rDS(on) High power and current handling capability. RoHS Compliant

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.032 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.6 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: MicroFET3x1.9
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • International Rectifier - AUIRS2112S
  • Taiwan Semiconductor - TSM2314CX

На английском языке: Datasheet FDMB3800N - Fairchild MOSFET, NN CH, 30 V, 4.8 A, MIRCOFET3X1.9

    Dual n-channel powertrench mosfet
    Цены на FDMB3800N
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанFairchild32,70 руб.
    КонтестFairchildпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Океан ЭлектроникиFairchildпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс