Datasheet NTE51 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 4 А, TO-220 — Даташит

Купить NTE51 на РадиоЛоцман.Цены — от 312 до 39 339 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
ЧипСити Россия	NTE51 NTE Electronics	312 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE51 NTE Electronics	334 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	NTE51 NTE Electronics	от 584 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTE51	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 4 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE51 Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch
Description: The NTE51 is a silicon NPN transistor in a TO220 type package designed for high­voltage, high­ speed power switching inductive circuits where fall time is critical.

This device is particularly suited for 115V and 220V SWITCHMODE applications such as switching regulators, Inverters, motor controls, solenoid/relay drivers and deflection circuits. Features: D Reverse Bias SOA with Inductive Loads @ TC = +100°C D 700V Blocking Capability Absolute Maximum Ratings: Collector­Emitter Voltage, VCEO(sus) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V Collector­Emitter Voltage, VCEV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V Emitter Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9V Collector Current,IC Continuous

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 В
• Transition Frequency Typ ft: 4 МГц
• Рассеиваемая мощность: 2 Вт
• DC Collector Current: 4 А
• DC Current Gain: 10

RoHS: есть