Datasheet C4D02120E - Cree Даташит SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 5.9 А, 1200 В, TO-252 — Даташит
Наименование модели: C4D02120E
Купить C4D02120E на РадиоЛоцман.Цены — от 93 до 1 027 ₽ 26 предложений от 14 поставщиков Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; SMD; 1,2кВ; 2А; TO252-2; 52Вт; C4D | |||
C4D02120E-TR | от 93 ₽ | ||
C4D02120E-TR | от 94 ₽ | ||
C4D02120E-TR Cree | 158 ₽ | ||
C4D02120E | от 314 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Cree
Описание: SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 5.9 А, 1200 В, TO-252
Спецификации:
- Diode Type: SiC Schottky
- Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1200 В
- Forward Current If(AV): 5.9 А
- Forward Voltage VF Max: 1.8 В
- Forward Surge Current Ifsm Max: 19 А
RoHS: есть