Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet C4D02120E - Cree Даташит SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 5.9 А, 1200 В, TO-252

Cree C4D02120E

Наименование модели: C4D02120E

Производитель: Cree

Описание: SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 5.9 А, 1200 В, TO-252

Спецификации:

  • Diode Type: SiC Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1200 В
  • Forward Current If(AV): 5.9 А
  • Forward Voltage VF Max: 1.8 В
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 19 А

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet C4D02120E - Cree SILICON CARBIDE (SIC) SCHOTTKY DIODE, 5.9 A, 1200 V, TO-252

    DIODE, SIC SCHOTTKY, 1200V, TO-252
    Цены на C4D02120E
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанCree103 руб.
    ТерраэлектроникаCreeот 191 руб.
    КимCree253 руб.
    ДКО ЭлектронщикCreeпо запросу
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургCreeпо запросу
    Все 7 предложений от 5 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс