HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet C4D02120E - Cree Даташит SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 5.9 А, 1200 В, TO-252 — Даташит

Cree C4D02120E

Наименование модели: C4D02120E

26 предложений от 14 поставщиков
Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; SMD; 1,2кВ; 2А; TO252-2; 52Вт; C4D
Akcel
Весь мир
C4D02120E-TR
от 93 ₽
Utmel
Весь мир
C4D02120E-TR
от 94 ₽
AiPCBA
Весь мир
C4D02120E-TR
Cree
158 ₽
C4D02120E
от 314 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Cree

Описание: SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 5.9 А, 1200 В, TO-252

Спецификации:

  • Diode Type: SiC Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1200 В
  • Forward Current If(AV): 5.9 А
  • Forward Voltage VF Max: 1.8 В
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 19 А

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet C4D02120E - Cree SILICON CARBIDE (SIC) SCHOTTKY DIODE, 5.9 A, 1200 V, TO-252

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России