Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet C4D05120E - Cree Даташит SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 8.2 А, 1200 В, TO-220

Cree C4D05120E

Наименование модели: C4D05120E

Производитель: Cree

Описание: SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 8.2 А, 1200 В, TO-220

Спецификации:

  • Diode Type: SiC Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1200 В
  • Forward Current If(AV): 8.2 А
  • Forward Voltage VF Max: 1.8 В
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 46 А

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet C4D05120E - Cree SILICON CARBIDE (SIC) SCHOTTKY DIODE, 8.2 A, 1200 V, TO-220

    Диоды и тиристоры C4D05120E. Описание в формате PDF
    Цены на C4D05120E
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанCreeC4D05120E293 руб.
    ICdaromCreeC4D05120Eот 346 руб.
    ТерраэлектроникаCreeC4D05120Eот 400 руб.
    ДессиCreeДиоды и тиристоры C4D05120E560 руб.
    ДКО ЭлектронщикCreeC4D05120E-TRпо запросу
    Все 12 предложений от 8 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс