Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet C4D10120E - Cree Даташит SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 18 А, 1200 В, TO-247

Cree C4D10120E

Наименование модели: C4D10120E

Производитель: Cree

Описание: SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 18 А, 1200 В, TO-247

Спецификации:

  • Diode Type: SiC Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1200 В
  • Forward Current If(AV): 18 А
  • Forward Voltage VF Max: 1.8 В
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 46 А

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet C4D10120E - Cree SILICON CARBIDE (SIC) SCHOTTKY DIODE, 18 A, 1200 V, TO-247

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 14A TO252-2
    Цены на C4D10120E
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанCree515 руб.
    ДКО ЭлектронщикCreeпо запросу
    ЭлектроПластCreeпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс