Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet MJB5742T4G - ON Semiconductor Даташит TRANS, DARL, NPN, 400 В, 8 А, TO263AB

ON Semiconductor MJB5742T4G

Наименование модели: MJB5742T4G

Производитель: ON Semiconductor

Описание: TRANS, DARL, NPN, 400 В, 8 А, TO263AB

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJB5742T4G NPN Silicon Power Darlington Transistors
The Darlington transistors are designed for high-voltage power switching in inductive circuits.
Features http://onsemi.com
· These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant
Applications

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Рассеиваемая мощность: 2 Вт
  • DC Collector Current: 8 А
  • DC Current Gain: 200
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MJB5742T4G - ON Semiconductor TRANS, DARL, NPN, 400 V, 8 A, TO263AB

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанON Semiconductor94,20 руб.
    ДКО ЭлектронщикON Semiconductorпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс