Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet 2N7002PV - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 60 В, 0.35 А, SOT666

NXP 2N7002PV

Наименование модели: 2N7002PV

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 60 В, 0.35 А, SOT666

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
2N7002PV
60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
Rev. 1 -- 5 August 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 350 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 1 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.75 В
  • Рассеиваемая мощность: 500 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-666
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Continuous Drain Current Id, N Channel: 350 мА
  • Drain Source Voltage Vds, N Channel: 60 В
  • Module Configuration: Dual N Channel
  • On Resistance Rds(on), N Channel: 1 Ом

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet 2N7002PV - NXP MOSFET, NN CH, 60 V, 0.35 A, SOT666

    MOSFET N-CH DUAL 60V SOT-666
    Цены на 2N7002PV
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXP2N7002PV4,33 руб.
    Кремний2N7002PV,115по запросу
    ТаймЧипсNXP2N7002PV,115по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс