Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMDPB65UP - NXP Даташит Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 3.5 А, SOT1118

Наименование модели: PMDPB65UP

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 3.5 А, SOT1118

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMDPB65UP
20 V, 3.5 A dual P-channel Trench MOSFET
Rev. 2 -- 8 March 2011 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual P Channel
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -3.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.058 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -700 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 520 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMDPB65UP - NXP MOSFET, PP CH, 20 V, 3.5 A, SOT1118

    PMDPB65UP на РадиоЛоцман.Цены — от 14,30 до 36,23 руб.
    MOSFET P-CH 20V DUAL SOT1118
    Цены на PMDPB65UP
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ИнтерияNXPPMDPB65UP.11514,30 руб.
    ЭлитанNXPPMDPB65UP22,30 руб.
    ТерраэлектроникаNXPPMDPB65UP.115от 27,00 руб.
    ДессиNXPMOSFET транзистор PMDPB65UP.11536,23 руб.
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургNXPPMDPB65UP,115по запросу
    Все 8 предложений от 6 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс