LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet PMGD370XN - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.74 А, SOT363 — Даташит

NXP PMGD370XN

Наименование модели: PMGD370XN

15 предложений от 9 поставщиков
Compliant 9.5 ns Lead Free Digi-Reel® 9.5 ns 440 mΩ 440 MΩ SOT
ChipWorker
Весь мир
PMGD370XN115
NXP
11 ₽
AiPCBA
Весь мир
PMGD370XN115
NXP
12 ₽
Utmel
Весь мир
PMGD370XN
Nexperia
от 41 ₽
Akcel
Весь мир
PMGD370XN
Nexperia
от 45 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.74 А, SOT363

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMGD370XN
Dual N-channel µTrenchMOSTM extremely low level FET
MBD128
Rev.

01 -- 27 February 2004
Product data

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual N Channel
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 740 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.37 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
  • Рассеиваемая мощность: 410 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Electrolube - SMA10SL

На английском языке: Datasheet PMGD370XN - NXP MOSFET, NN CH, 30 V, 0.74 A, SOT363

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России