Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet ZXMS6004DT8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, NN CH, Вт ESD, 60 В, 1.2 А, SM8

Diodes ZXMS6004DT8TA

Наименование модели: ZXMS6004DT8TA

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, NN CH, Вт ESD, 60 В, 1.2 А, SM8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
A Product Line of Diodes Incorporated
ZXMS6004DT8 60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFETTM MOSFET
SUMMARY
Continuous drain source voltage 60 V On-state resistance Nominal load current (VIN = 5V) Clamping Energy 500 m 1.2 A 210 mJ
DESCRIPTION

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: Dual N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 1.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.35 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.16 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SM
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Diodes - ZXGD3001E6TA
  • Intersil - EL7242CSZ
  • Roth Elektronik - RE1310-LF

На английском языке: Datasheet ZXMS6004DT8TA - Diodes MOSFET, NN CH, W ESD, 60 V, 1.2 A, SM8

    MOSF N CH 60V 900MA SM8
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанDiodes53,40 руб.
    Океан ЭлектроникиDiodesпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс