Datasheet ZXMS6004DT8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, NN CH, Вт ESD, 60 В, 1.2 А, SM8 — Даташит

Купить ZXMS6004DT8TA на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 4 072 ₽ 28 предложений от 14 поставщиков Микросхема: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 SM8
EIS Components Весь мир	ZXMS6004DT8TA Diodes	32 ₽	Купить
ЧипСити Россия	ZXMS6004DT8TA Diodes	48 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	ZXMS6004DT8TA	по запросу	Купить
FAV Technology Весь мир	ZXMS6004DT8TA Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, NN CH, Вт ESD, 60 В, 1.2 А, SM8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
A Product Line of Diodes Incorporated
ZXMS6004DT8 60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFETTM MOSFET
SUMMARY
Continuous drain source voltage 60 V On-state resistance Nominal load current (VIN = 5V) Clamping Energy 500 m 1.2 A 210 mJ
DESCRIPTION

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: Dual N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 0.35 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Рассеиваемая мощность: 1.16 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SM
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Diodes - ZXGD3001E6TA
• Intersil - EL7242CSZ
• Roth Elektronik - RE1310-LF