Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BSP250 - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 3 А, SOT223

NXP BSP250

Наименование модели: BSP250

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 3 А, SOT223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BSP250 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
Product specification Supersedes data of November 1994 File under Discrete Semiconductors, SC13b 1997 Jun 20
Philips Semiconductors

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -3 А
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.22 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Рассеиваемая мощность: 5 Вт
  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Количество выводов: 4

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BSP250 - NXP MOSFET, P CH, 30 V, 3 A, SOT223

    BSP250 на РадиоЛоцман.Цены — от 19,60 до 60,00 руб.
    P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor
    Цены на BSP250
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPBSP25019,60 руб.
    ДКО ЭлектронщикNXPBSP250.115от 25,00 руб.
    КремнийBSP250 T/Rпо запросу
    Океан ЭлектроникиNXPBSP250 /T3по запросу
    ТаймЧипсNXPBSP250 T/Rпо запросу
    Все 16 предложений от 12 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс