Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PHT6NQ10T - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6.5 А, SOT223

NXP PHT6NQ10T

Наименование модели: PHT6NQ10T

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6.5 А, SOT223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOSTM transistor
PHT6NQ10T
FEATURES

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.057 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Количество выводов: 4

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
  • International Rectifier - AUIRS2112S

На английском языке: Datasheet PHT6NQ10T - NXP MOSFET, N CH, 100 V, 6.5 A, SOT223

    МОП-транзистор TAPE13 PWR-MOS
    Цены на PHT6NQ10T
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPHT6NQ10T27,20 руб.
    КремнийPHT6NQ10T,135по запросу
    ДКО ЭлектронщикNXPPHT6NQ10Tпо запросу
    TradeElectronicsNXPPHT6NQ10Tпо запросу
    МосЧипNXPPHT6NQ10T /T3по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс