Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMG370XN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.96 А, SOT363

NXP PMG370XN

Наименование модели: PMG370XN

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.96 А, SOT363

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMG370XN
N-channel µTrenchMOSTM extremely low level FET
MBD128
Rev. 01 -- 13 February 2004
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 960 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.37 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
  • Рассеиваемая мощность: 690 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Electrolube - SMA10SL

На английском языке: Datasheet PMG370XN - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 0.96 A, SOT363

    МОП-транзистор TAPE13 PWR-MOS
    Цены на PMG370XN
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPMG370XN10,30 руб.
    КонтестNXPPMG370XNпо запросу
    МосЧипNXPPMG370XNпо запросу
    КремнийPMG370XN,115по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс