Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet TK12E60U - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 12 А, TO220

Toshiba TK12E60U

Наименование модели: TK12E60U

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 12 А, TO220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TK12E60U
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS )
TK12E60U
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.36 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 3.0~5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 12 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.4 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 144 Вт
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • International Rectifier - AUIR2085S

На английском языке: Datasheet TK12E60U - Toshiba MOSFET, N CH, 600 V, 12 A, TO220

    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанToshibaTK12E60U.S1X(S99,70 руб.
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс