Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet TK40A10K3 - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 40 А, TO220SIS

Toshiba TK40A10K3

Наименование модели: TK40A10K3

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 40 А, TO220SIS

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TK40A10K3
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS)
TK40A10K3
Switching Regulator Application
· · · · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 11.5 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 80 S Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V) Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 40 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0115 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 40 Вт
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • International Rectifier - IRS20954SPBF

На английском языке: Datasheet TK40A10K3 - Toshiba MOSFET, N CH, 100 V, 40 A, TO220SIS

    TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS?…?)
    ПоставщикПроизводительЦена
    Кремнийпо запросу
    TradeElectronicsToshibaпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс