Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet TK4A60D - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 40 А, TO220SIS

Toshiba TK4A60D

Наименование модели: TK4A60D

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 40 А, TO220SIS

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TK4A60D
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS)
TK4A60D
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.4 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 2.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 1.4 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 35 Вт
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • National Semiconductor - LM5101CMA

На английском языке: Datasheet TK4A60D - Toshiba MOSFET, N CH, 600 V, 40 A, TO220SIS

    МОП-транзистор N-Ch MOS 3.7A 600V 25W 540pF 2.2 Ohm
    Цены на TK4A60D
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанToshiba67,40 руб.
    Кремнийпо запросу
    МосЧипToshibaпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс