Datasheet TK4P60DA - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 3.5 А, DPAK — Даташит

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 3.5 А, DPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TK4P60DA
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS)
TK4P60DA
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.7 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 2.2 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On Resistance Rds(on): 1.7 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Рассеиваемая мощность: 35 Вт
• Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5
• International Rectifier - IRS2011SPBF