Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet TPC8120 - Toshiba Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 16 А, SOP8

Toshiba TPC8120

Наименование модели: TPC8120

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 16 А, SOP8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TPC8120
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS)
TPC8120
Lithium Ion Battery Applications Power Management Switch Applications
· · · · · Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 2.6 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| =80 S (typ.) Low leakage current: IDSS = -10 A (max) (VDS = -30 V) Enhancement mode: Vth = -0.8 to -2.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA) Unit: mm

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -18 А
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0026 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.9 Вт
  • Корпус транзистора: SOP
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet TPC8120 - Toshiba MOSFET, P CH, 30 V, 16 A, SOP8

    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанToshibaTPC8120(TE12L.V.M)50,40 руб.
    КремнийToshibaTPC8120 Toshiba 10000по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс