Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SI1012CR-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, W/D, 20 В, 0.5 А, SC75A

Vishay SI1012CR-T1-GE3

Наименование модели: SI1012CR-T1-GE3

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, W/D, 20 В, 0.5 А, SC75A

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si1012CR
Vishay Siliconix
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 0.396 at VGS = 4.5 V 20 0.456 at VGS = 2.5 V 0.546 at VGS = 1.8 V ID (A) 0.5 0.2 0.2 0.75 Qg (Typ.)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 630 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.33 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 240 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SC-75A
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SI1012CR-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, W/D, 20 V, 0.5 A, SC75A

    МОП-транзистор 20V .63A .24W
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанVishay6,00 руб.
    МосЧиппо запросу
    ДКО ЭлектронщикVishayпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс