Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SI2399DS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, W/D, 20 В, 6 А, SOT23

Vishay SI2399DS-T1-GE3

Наименование модели: SI2399DS-T1-GE3

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, W/D, 20 В, 6 А, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2399DS
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
FEATURES
Qg (Typ.) 10 nC

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -6 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.028 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: TO-236
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SI2399DS-T1-GE3 - Vishay MOSFET, P CH, W/D, 20 V, 6 A, SOT23

    ПоставщикПроизводительЦена
    ДКО ЭлектронщикVishayпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс