Datasheet SI4463CDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, W/D, 20 В, 18.6 А, SO8 — Даташит

Купить SI4463CDY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 3 508 ₽ 19 предложений от 8 поставщиков VISHAY SI4463CDY-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV
Стандарт СИЗ Россия	SI4463CDY-T1-GE3 Vishay	19 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SI4463CDY-T1-GE3 Vishay	29 ₽	Купить
ЭИК Россия	SI4463CDY-T1-GE3 Vishay	от 73 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	SI4463CDY-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, W/D, 20 В, 18.6 А, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si4463CDY
Vishay Siliconix
P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET
FEATURES

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: -18.6 А
• Drain Source Voltage Vds: -20 В
• On Resistance Rds(on): 0.006 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Рассеиваемая мощность: 5 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4463CDYT1GE3, SI4463CDY T1 GE3