Datasheet SIR482DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, DIO, 30 В, 35 А, PPK SO8 — Даташит
Наименование модели: SIR482DP-T1-GE3
6 предложений от 6 поставщиков N-Channel 30 V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | |||
| SIR482DP-T1-GE3 Vishay | 53 ₽ | ||
| SIR482DP-T1-GE3 Vishay | 53 ₽ | ||
| SIR482DP-T1-GE3 | по запросу | ||
| SIR482DP-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, DIO, 30 В, 35 А, PPK SO8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
New Product
SiR482DP
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 35 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.0046 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 27.7 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SIR482DPT1GE3, SIR482DP T1 GE3
