Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SIR802DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, DIO, 20 В, 30 А, PPK SO8

Наименование модели: SIR802DP-T1-GE3

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, DIO, 20 В, 30 А, PPK SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiR802DP
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 30 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0041 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 27.7 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SIR802DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, DIO, 20 V, 30 A, PPK SO8

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс