Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SIR808DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, DIO, 25 В, 20 А, PPK SO8

Наименование модели: SIR808DP-T1-GE3

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, DIO, 25 В, 20 А, PPK SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiR808DP
Vishay Siliconix
N-Channel 25 V (D-S) MOSFET
FEATURES
ID (A)a, g 20 20 Qg (Typ.) 7.5 nC

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 20 А
  • Drain Source Voltage Vds: 25 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0074 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 29.8 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SIR808DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, DIO, 25 V, 20 A, PPK SO8

    МОП-транзистор 25 Volts 20 Amps 29.8 Watts
    Цены на SIR808DP-T1-GE3
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанVishay30,10 руб.
    ТаймЧипспо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс