Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SIR826DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, DIO, 80 В, 60 А, PPK SO8

Наименование модели: SIR826DP-T1-GE3

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, DIO, 80 В, 60 А, PPK SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiR826DP
Vishay Siliconix
N-Channel 80 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 60 А
  • Drain Source Voltage Vds: 80 В
  • On Resistance Rds(on): 0.004 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 104 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SIR826DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, DIO, 80 V, 60 A, PPK SO8

    MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAK
    Цены на SIR826DP-T1-GE3
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанVishay107 руб.
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургVishayпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс