Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet SQ2301ES-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, W/D, 20 В, 3.9 А, SOT23 — Даташит

Vishay SQ2301ES-T1-GE3

Наименование модели: SQ2301ES-T1-GE3

23 предложений от 10 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 3.9 А, 0.08 Ом, SOT-23, Surface Mount
AiPCBA
Весь мир
SQ2301ES-T1_GE3
Vishay
16 ₽
ChipWorker
Весь мир
SQ2301ES-T1-GE3
Vishay
26 ₽
ЧипСити
Россия
SQ2301ES-T1-GE3
Vishay
36 ₽
ЭИК
Россия
SQ2301ES-T1_GE3
Vishay
от 47 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, W/D, 20 В, 3.9 А, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SQ2301ES
Vishay Siliconix
Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -3.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.08 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 3 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-236
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Варианты написания:

SQ2301EST1GE3, SQ2301ES T1 GE3

На английском языке: Datasheet SQ2301ES-T1-GE3 - Vishay MOSFET, P CH, W/D, 20 V, 3.9 A, SOT23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России