Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SQM120N06-04L-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, W/D, 60 В, 120 А, TO263

Vishay SQM120N06-04L-GE3

Наименование модели: SQM120N06-04L-GE3

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, W/D, 60 В, 120 А, TO263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQM120N06-04L
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration 60 0.0035 0.0050 120 Single

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0028 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
  • Рассеиваемая мощность: 375 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SQM120N06-04L-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, W/D, 60 V, 120 A, TO263

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс