Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SQM50P03-07-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, W/D, 30 В, 50 А, TO263

Vishay SQM50P03-07-GE3

Наименование модели: SQM50P03-07-GE3

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, W/D, 30 В, 50 А, TO263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQM50P03-07
Vishay Siliconix
Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = - 10 V RDS(on) () at VGS = - 4.5 V ID (A) Configuration - 30 0.0070 0.0110 - 50 Single

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -50 А
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.005 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
  • Рассеиваемая мощность: 150 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SQM50P03-07-GE3 - Vishay MOSFET, P CH, W/D, 30 V, 50 A, TO263

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанVishay127 руб.
    ДКО ЭлектронщикVishayпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс